BSB028N06NN3 G
Infineon Technologies
Deutsch
Artikelnummer: | BSB028N06NN3 G |
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Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 60V 22A WDSON-2 |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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5000+ | $0.8518 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 102µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | MG-WDSON-2, CanPAK M™ |
Serie | OptiMOS™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.8 mOhm @ 30A, 10V |
Verlustleistung (max) | 2.2W (Ta), 78W (Tc) |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse | 3-WDSON |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 12000pF @ 30V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 143nC @ 10V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 22A (Ta), 90A (Tc) |
BSB028N06NN3 G Einzelheiten PDF [English] | BSB028N06NN3 G PDF - EN.pdf |
MOSFET N-CH 80V 18A/90A 2WDSON
BSB022NE2LX G INFINEO
MOSFET N-CH 30V 27A/145A 2WDSON
FAN AXIAL 17X5.28MM 5VDC WIRE
INFINEON MG-WDSON-2
FAN BLOWER 20X3.28MM 3VDC RECT
BSB028N06NN3G INFINEON
MOSFET N-CH 30V 32A/174A 2WDSON
INFINEONT 2WDSON
MOSFET N-CH 60V 22A/90A 2WDSON
MOSFET N-CH 30V 17A/71A 2WDSON
BSB019N03LXG INFINEO
INFINEON MG-WDSON-2
BSB024N03LXG INFINEO
MOSFET N-CH 80V 18A WDSON-2
N-CHANNEL POWER MOSFET
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() BSB028N06NN3 GInfineon Technologies |
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